巨头阿斯麦（ASML）业绩「暴雷」，国产光刻机将迎来井喷式爆发？

前几天每日经济新闻报道，光刻机巨头阿斯麦（ASML）跌16.26%，报730.43美元，市值2873.7亿美元，这是阿斯麦自1998年以来最大的单日跌幅。巨头阿斯麦（ASML）业绩「暴雷」，国产光刻机却迎来井喷式爆发？

光刻机作为半导体芯片生产线上的重要设备之一，近年来随着下游市场的智能设备、工业机器人、智能手机、平板电脑、AI、物联网、车载等应用场景的不断涌现和蓬勃发展，光刻机的市场需求和销量稳步增长。

全球光刻机的市场份额，掌握在阿斯麦（ASML）、佳能（Canon）和尼康（Nikon）三大巨头手中。

其中ASML作为荷兰厂商，是全球最大的光刻系统供应商，特别是在极紫外光（EUV）技术方面处于绝对领先和垄断地位，占据了全球高端光刻机市场的80%以上。

它与多个顶尖半导体制造商紧密合作，包括英特尔、三星电子和台积电等，这些公司都是ASML的重要客户。

阿斯麦（ASML）为何会“暴雷”？

ASML第三财季净销售额74.7亿欧元，市场预期71.7亿欧元；第三财季订单额为26.3亿欧元，市场预期为53.9亿欧元；预计第四财季净销售额将在88亿欧元至92亿欧元，市场预期为89.5亿欧元。

第三财季的订单数据仅为市场预期的一半，从其业务情况来看，EUV和ArFi是最主要的收入来源，其中EUV出货11台，ArFi出货38台，中国大陆的收入占其订单额的一半。

所以ASML会“暴雷”，与中国进口量下降有很大原因。要知道，ASML在中国约占其积压订单的20%。ASML此前也有透露，到2023年底，ASML 在中国的光刻机加上量测的机台装机量接近1400台。

9月5日，美国商务部下属的工业与安全局（BIS）发布公告，加强了美国对华量子计算、半导体制造等科技出口限制。

随后，荷兰政府也“对齐”美国出口管制政策，实施所有的光刻机出口审批。

特别是对于向中国出口最先进制程所需的极紫外光（EUV）光刻机，美国政府施加了压力，导致荷兰政府对ASML向中国出口EUV光刻机实施了更严格的管控。

2023年时ASML仍然能够交付中国大陆客户的DUV光刻机订单，后来荷兰政府进一步收紧了对特定型号DUV光刻机的出口许可要求，这意味着ASML需要申请特别许可才能将某些型号的DUV光刻机出口到中国。

因此，ASML在中国大陆的销量只能进一步收缩。

据国际半导体产业协会（SEMI）预测，2024年全球芯片制造设备销售额将达到1090亿美元，其中中国预计将占三成以上，是最大的市场。

另据WSTS数据预测，2024年，全球半导体行业年销售额将增长 16.0%，2025 年将增长 12.5%，远超出此前预期。

所以，ASML今年第三财季的“暴雷”，也许只是一个开始。

为什么光刻机会是芯片的卡脖子技术？

我们不禁要思考，光刻机在芯片制造中到底是什么地位？为什么会成为芯片制造的卡脖子技术呢？除了光刻机，芯片制造中还有哪些卡脖子技术呢？

我们先来看看芯片制造的核心流程和相应的技术是什么：

1.晶圆

晶圆是芯片的承载，需要使用高纯度石英砂，通过融化、提纯和冷却等技术，制作成多晶硅，再制作成单晶硅，最后加入硼，做成P型单晶硅，这就形成了芯片的毛坯。

晶圆的制作上，虽然世界最大的高纯度石英砂矿在美国，但晶圆的制作技术含量并不高，因此并没有多大的影响。

2.掩模

在晶圆上利用模具进行喷漆，喷出对应的图形，就像日常生活中的字体喷涂一样，这个模具在芯片领域就叫掩模，又叫光罩。

制作掩模的软件统称为EDA，可以看作是芯片领域的CAD，EDA本身技术并不难，难度在于上下游相关联的库，国际芯片制作的上下游是打通的，国内没有研发出来，而且也很难打进国际市场。

因为特朗普全面封锁中国芯片，国内芯片的上下游产业需要另起炉灶，国产的EDA自然就链接进了上下游。

3.光刻胶

光刻胶很重要，因为光刻机不是在晶圆上直接进行雕刻，而是在光刻之前，先在晶圆上涂一层光刻胶，然后在光刻胶上雕刻出一个“模”。

光刻胶此前几乎被日本垄断，2019年日本政府宣布对韩国实施一系列出口限制措施，其中就包括光刻胶，这一举动直接导致韩国半导体行业供应链中断，三星和海力士受创，给整个韩国经济带来了压力。

后来韩国就开始了光刻胶的自主研发，目前欧美日韩是光刻胶的主要供货方。

中国已经有一些企业能够生产光刻胶，但主要集中在中低端市场。高端光刻胶，特别是用于先进制程（如7纳米及以下）的EUV光刻胶，目前仍然依赖进口。

不过中国的光刻胶产业正在快速发展，一些企业在KrF（248纳米）和ArF（193纳米）光刻胶领域取得了重要进展。

尤其是麒麟9000s芯片已经量产，配套的DUV光刻机的光刻胶已经可以满足，EUV光刻胶或有可能是卡脖子技术。

4.光刻机

光刻机分为DUV（深紫外）光刻机和EUV（极紫外）光刻机。

DUV（深紫外）光刻机使用的是深紫外线，通常波长为193纳米（ArF准分子激光器）或248纳米（KrF准分子激光器），技术相对成熟且成本较低，广泛应用于从130纳米到7纳米甚至更先进的制程节点。

EUV（极紫外）光刻机使用的是极紫外线，波长约为13.5纳米。这种短得多的波长允许在单次曝光下实现更高的分辨率，从而能够生产出更为精密的集成电路；技术极其复杂，涉及到高度真空环境下的操作、特殊的反射镜系统（因为EUV光会被大多数材料吸收）、强大的激光系统来产生所需的EUV光线，因此成本高昂，每台设备可能需要数亿美元，主要用于7纳米及以下的先进制程节点，EUV技术被认为是继续缩小芯片尺寸的关键。

目前中国已实现DUV光刻机的制作，但EUV光刻机的情况仍然不详。